供应 Si4836DY-T1-E3 原装现货

制造商	
Vishay Siliconix
制造商零件编号	
SI4836DY-T1-E3
描述	
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）	1（无限）
详细描述	表面贴装 N 沟道 pval(2068) 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO

一般信息
数据列表	SI4836DY;
标准包装  	2,500
包装  	标准卷带  
零件状态	停产
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	TrenchFET?

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	17A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3 毫欧 @ 25A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	400mV @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	75nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±8V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）