供应 IRF6635TR1 原装深圳现货 假一罚十

制造商	
Infineon Technologies
制造商零件编号	
IRF6635TR1
描述	
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL）	3（168 小时）
详细描述	表面贴装 N 沟道 pval(2068) 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX

一般信息
数据列表	IRF6635;
标准包装  	1,000
包装  	标准卷带  
零件状态	停产
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET?

规格
FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	32A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	1.8 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	2.35V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷 （Qg）（较大值）	71nC @ 4.5V
Vgs（较大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（较大值）	5970pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	DIRECTFET? MX
封装/外壳	DirectFET? 等容 MX