型号:INA381A4IDSGR发票:可开13%增票封装:WSON-8(2x2)批号:21+较小起订量:3000RoHS:是发货地:深圳交期:现货类型:集成电路(IC)
二管是早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 。
当二管两端的正向电压**过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。
在二管加有正向电压,当电压值较小时,电流小;当电压**过0.6V时,电流开始按指数规律,通常称此为二管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二管处于完全导通状态,通常称此电压为二管的导通电压,用符号UD表示 。
当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二管的正向电压。
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